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NAND512W3A2BN6E产品参数
型号:NAND512W3A2BN6E
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:NUMONYX
零件包装代码:TSOP
包装说明:12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
针数:48
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.22
Is Samacsys:N
最长访问时间:12000 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e6
长度:18.4 mm
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:48
字数:67108864 words
字数代码:64000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:64MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NAND TYPE
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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