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N02L63W3AT25IT产品参数
型号:N02L63W3AT25IT
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:TSOP2
包装说明:LSSOP, TSOP44,.46,32
针数:44
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.52
Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.41 mm
内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:44
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
电源:2.5/3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.25 mm
最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:1.8 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.016 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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