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  • N16T1630C2BZ2-55I图
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  • N16T1630C2BZ2-55I
  • 数量15919 
  • 厂家NANOAMP 
  • 封装BGA 
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N16T1630C2BZ2-55I产品参数
型号:N16T1630C2BZ2-55I
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:FBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48
内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
端子数量:48
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:1MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2.7 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1
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