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N25Q256A11E1240E产品参数
型号:N25Q256A11E1240E
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
包装说明:TBGA, BGA24,5X5,40
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.77
其他特性:SPI-COMPATIBLE SERIAL BUS INTERFACE
最大时钟频率 (fCLK):108 MHz
数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PBGA-B24
JESD-609代码:e1
长度:8 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1
功能数量:1
端子数量:24
字数:268435456 words
字数代码:256000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:256MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA
封装等效代码:BGA24,5X5,40
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V
编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.00002 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):2 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE
宽度:6 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
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