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NAND02GR3B2DN6E产品参数
型号:NAND02GR3B2DN6E
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:NUMONYX
零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1,
针数:48
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.42
Is Samacsys:N
最长访问时间:25000 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
长度:18.4 mm
内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:48
字数:268435456 words
字数代码:256000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:256MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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