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| 型号: | NAND08GW3C2BN6E |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.78 |
| 最长访问时间： | 25 ns |
| 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 8589934592 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 4K |
| 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1073741824 words |
| 字数代码： | 1000000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1GX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小： | 2K words |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 256K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO |
| 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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