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产品型号NAND256W3A2BN6E的概述

芯片NAND256W3A2BN6E的概述 NAND256W3A2BN6E是一款高容量的NAND闪存芯片,广泛应用于各种存储需求的电子设备中。这款芯片由知名的半导体制造商生产,具备高性能与高可靠性,旨在满足现代信息科技产业对于存储解决方案的需求。由于其小型化、高存储密度和低功耗的特点,NAND256...
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NAND256W3A2BN6E产品参数
型号:NAND256W3A2BN6E
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TSOP
包装说明:12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
针数:48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.4
Is Samacsys:N
最长访问时间:12000 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e3/e6
长度:18.4 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:2K
端子数量:48
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小:512 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN/TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO
类型:NAND TYPE
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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