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| 型号: | NAND99R4M2BZBA5E |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | MICRON TECHNOLOGY INC |
| 包装说明： | FBGA, BGA149,12X16,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B149 |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 混合内存类型： | FLASH+SDRAM |
| 端子数量： | 149 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA149,12X16,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Memory ICs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
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