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  • NCP1339DDR2G图
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  • NCP1339DDR2G
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  • NCP1339DDR2G图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 厂家ON 
  • 封装14-SOIC 
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NCP1339DDR2G产品参数
型号:NCP1339DDR2G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Lifetime Buy
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SOP,
制造商包装代码:751AN
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:4 weeks
风险等级:7.78
其他特性:CONFIGURED AS FLYBACK TOPOLOGY
模拟集成电路 - 其他类型:SWITCHING CONTROLLER
控制模式:CURRENT-MODE
控制技术:RESONANT CONTROL
最大输入电压:28 V
最小输入电压:10 V
标称输入电压:12 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G13
JESD-609代码:e3
长度:8.65 mm
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端子数量:13
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.75 mm
表面贴装:YES
最大切换频率:25 kHz
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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