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| 型号: | NCP5355DR2 |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOIC-8 |
| 针数： | 8 |
| 制造商包装代码： | 751-07 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N |
| 高边驱动器： | YES |
| 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 标称输出峰值电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 12 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 子类别： | MOSFET Drivers |
| 最大供电电压： | 13.2 V |
| 最小供电电压： | 9.2 V |
| 标称供电电压： | 12 V |
| 电源电压1-最大： | 26 V |
| 电源电压1-分钟： | 9.2 V |
| 电源电压1-Nom： | 12 V |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 断开时间： | 0.055 µs |
| 接通时间： | 0.06 µs |
| 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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