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| 型号: | NCP81166AMNTBG |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | HVSON, SOLCC8,.08,20 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.72 |
| 高边驱动器： | YES |
| 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N8 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 2 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -10 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | HVSON |
| 封装等效代码： | SOLCC8,.08,20 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE |
| 座面最大高度： | 1 mm |
| 最大供电电压： | 13.2 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 断开时间： | 0.03 µs |
| 接通时间： | 0.03 µs |
| 宽度： | 2 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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