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| 型号: | NCS21912DR2G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Preview |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 |
| 制造商包装代码： | 751-07 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0035 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0005 µA |
| 最小共模抑制比： | 110 dB |
| 标称共模抑制比： | 130 dB |
| 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.0035 µA |
| 最大输入失调电压： | 25 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.9 mm |
| 低-偏置： | YES |
| 低-失调： | YES |
| 微功率： | YES |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUT LINE |
| 包装方法： | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 功率： | NO |
| 可编程功率： | NO |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 标称压摆率： | 1.6 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 1.14 mA |
| 供电电压上限： | 40 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 4 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 2000 kHz |
| 最小电压增益： | 1778279 |
| 宽带： | NO |
| 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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