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NCV20091SN3T1G产品参数
型号:NCV20091SN3T1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:SOT-23, TSOP-5
制造商包装代码:483-02
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
Factory Lead Time:4 weeks
风险等级:1.44
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.0015 µA
最小共模抑制比:53 dB
标称共模抑制比:76 dB
频率补偿:NO
最大输入失调电流 (IIO):0.0011 µA
最大输入失调电压:4000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G5
长度:3 mm
低-偏置:YES
低-失调:NO
微功率:YES
功能数量:1
端子数量:5
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP5/6,.11,37
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
可编程功率:NO
筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:1.1 mm
标称压摆率:0.15 V/us
子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:0.033 mA
供电电压上限:6 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING
端子节距:0.95 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:350 kHz
最小电压增益:4466.836
宽带:NO
宽度:1.5 mm
Base Number Matches:1
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