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NCV33172DR2G产品参数
型号:NCV33172DR2G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:SOP,
针数:8
制造商包装代码:751-07
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.44
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB):0.2 µA
标称共模抑制比:90 dB
最大输入失调电压:6500 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm
湿度敏感等级:1
负供电电压上限:-22 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:2
端子数量:8
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:1.75 mm
标称压摆率:2.1 V/us
子类别:Operational Amplifier
供电电压上限:22 V
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:YES
技术:BIPOLAR
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:1800 kHz
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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