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| 型号: | NCV8402DDR2G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOIC-8 |
| 针数： | 8 |
| 制造商包装代码： | 751-07 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.83 |
| 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.9 mm |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 输出电流流向： | SINK |
| 标称输出峰值电流： | 4.8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 120 µs |
| 接通时间： | 25 µs |
| 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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