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  • 深圳市创思克科技有限公司

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NDB708A产品参数
型号:NDB708A
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.77
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
最大漏极电流 (ID):60 A
最大漏源导通电阻:0.022 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W
最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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