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NDC632P产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT™-6

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):140 毫欧 @ 2.7A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):15nC @ 4.5V

Vgs(最大值):-8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.6W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SuperSOT™-6

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装:3,000

其它名称:NDC632P-ND NDC632PTR

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