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| 型号: | NDD02N60Z-1G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 4 |
| 制造商包装代码： | 369 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 6.14 |
| Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/226539.1.2.png |
| Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=226539 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=226539 |
| 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=226539 |
| Samacsys PartID： | 226539 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/NDD02N60Z-1G.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/NDD02N60Z-1G.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | IPAK CASE 369D ISSUE C |
| Samacsys Released Date： | 2015-11-03 12:30:39 |
| Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 57 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9 A |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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