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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家安森美 
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 厂家ON 
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NDD05N50Z-1G产品参数
型号:NDD05N50Z-1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, IPAK-3
针数:4
制造商包装代码:369
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:7.82
雪崩能效等级(Eas):130 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):4.7 A
最大漏源导通电阻:1.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):19 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
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