NDM3000产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A SO16

详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 30V 3A 1.4W Surface Mount 16-SOIC

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：360pF @ 10V

功率 - 最大值：1.4W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：16-SOIC

标准包装：2,500

其它名称：NDM3000TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）