NDP6020P产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 24A TO-220

详细描述：通孔 P 沟道 20V 24A（Tc） 60W（Tc） TO-220

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 12A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：35nC @ 5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1590pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：800