NDS351N芯片概述 NDS351N是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动、照明控制和其他高效能的功率转换器件中。凭借其低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力，NDS351N在多种电子电路设计中扮演着重要角色。 详细参数 NDS351N的主要技术参数包括： - 类型：N沟道MOSFET - 最大漏极-源极电压（V_DS）：30V - 最大漏极电流（I_D）：51A - 导通电阻（R_DS(on)）：< 0.040Ω（@ V_GS=10V） - 栅极阈值电压（V_GS(th)）：1V到3V - 最大功耗（P_D）：62W（在25°C时） - 封装类型：TO-220 - 工作温度范围：-55°C到+150°C 这种参数组合使得NDS351N特别适合在高效率的开关电源和其他功率处理应用中使用。 厂家、包装和封装 NDS351N的生产厂家是国际...