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型号: | NDS356P |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred |
IHS 制造商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.74 |
Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.1 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.1 A |
最大漏源导通电阻: | 0.21 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 0.46 W |
最大功率耗散 (Abs): | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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