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NDS8958产品参数
型号:NDS8958
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.3 A
最大漏源导通电阻:0.035 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
功耗环境最大值:2 W
最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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