NDS9952A产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.7A，2.9A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：320pF @ 10V

功率 - 最大值：900mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

标准包装：2,500

其它名称：NDS9952ATR