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NDT453N产品参数
型号:NDT453N
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.028 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-261
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1.1 W
最大功率耗散 (Abs):3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):15 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):100 ns
最大开启时间(吨):50 ns
Base Number Matches:1
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