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NE25139产品参数
型号:NE25139
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4
制造商包装代码:CASE 39
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.82
Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:13 V
最大漏极电流 (ID):0.04 A
FET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.03 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):16 dB
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1
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