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  • NE32584C-T1图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • 厂家NEC 
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  • NE32584C-T1
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家RENESAS-瑞萨 
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  • 毅创腾(集团)有限公司

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  • NE32584C-T1
  • 数量12711 
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  • 封装SMT36 
  • 批号22+ 
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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 厂家NEC 
  • 封装xx 
  • 批号16PB 
  • 假一赔十★全新原装现货★★特价供应★工厂客户可放款
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NE32584C-T1产品参数
型号:NE32584C-T1
Brand Name:Renesas
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.27
Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:3 V
最大漏极电流 (ID):0.02 A
FET 技术:HETERO-JUNCTION
最高频带:KU BAND
JESD-30 代码:X-CXMW-F4
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):11 dB
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT
端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1
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