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| 型号: | NE350184C-T1-A |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD |
| 包装说明： | LEAD FREE, CERAMIC, 84C, MICRO-X-4 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A |
| FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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