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| 型号: | NE3517S03-T1C-A |
| Brand Name： | Renesas |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | MICROWAVE, R-PXMW-F4 |
| 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.79 |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION |
| 最高频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | R-PXMW-F4 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.165 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
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