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| 型号: | NE5511279A-T1 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 79A, 4 PIN |
| 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.05 |
| 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-XQMW-F4 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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