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| 型号: | NE5532DR |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOIC-8 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 0.66 |
| Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 9918 |
| Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | D (R-PDSO-G8) |
| Samacsys Released Date： | 2016-03-24 08:30:36 |
| Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.8 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.8 µA |
| 最小共模抑制比： | 70 dB |
| 标称共模抑制比： | 100 dB |
| 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.15 µA |
| 最大输入失调电压： | 4000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.9 mm |
| 低-偏置： | NO |
| 低-失调： | NO |
| 微功率： | NO |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 负供电电压上限： | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 包装方法： | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 功率： | YES |
| 电源： | +-5/+-15/10/30 V |
| 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 标称压摆率： | 9 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 8 mA |
| 供电电压上限： | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 10000 kHz |
| 最小电压增益： | 10000 |
| 宽带： | NO |
| 宽度： | 3.91 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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