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| 型号: | NE6510179A-T1 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | MICROWAVE, R-CQMW-F4 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 5.5 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION |
| 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-CQMW-F4 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
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