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型号: | NE960R200 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | RENESAS ELECTRONICS CORP |
零件包装代码: | DIE |
包装说明: | UNCASED CHIP, R-XUUC-N4 |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.40 |
风险等级: | 5.13 |
Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 15 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.35 A |
FET 技术: | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带: | KU BAND |
JESD-30 代码: | R-XUUC-N4 |
JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 2.5 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches: | 1 |
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