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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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NESG220033-T1B-A产品参数
型号:NESG220033-T1B-A
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
包装说明:LEAD FREE, MINMOLD PACKAGE-3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.34
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:0.9 pF
集电极-发射极最大电压:5.5 V
配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e6
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):12500 MHz
Base Number Matches:1
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