海力士将提前削减15% 3D NAND晶圆的产能

7月28日消息，据韩国SK海力士发布的财报显示，SK海力士Q2季度净利润暴跌88%，创下三年最低利润记录。SK海力士负责NAND市场营销的金正泰常务表示：第四季度将稳定内存价格，并在明年下半年正式开售最高技术水平的128层NAND闪存。

SK海力士表示，将提前削减3D NAND晶圆的产能，并且重新考虑装配其M15和M16晶圆厂的计划，以减少企业资本支出。今年早些时候，SK海力士曾计划将3D NAND晶圆产量减少10%，在SK 海力士最新的计划里，已经将产量调整到减产15%。这也是继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目后，韩国另一家存储巨头在产能上进行放缓。

2019年2季度，SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40％，主要原因是该公司增加了72层3D NAND的产量。但与此同时，由于3D NAND 的均价跌了25％，导致公司利润暴跌，这也是SK海力士决定减产的主要原因。

SK海力士表示，该公司将比今年早些时候更加积极地提前削减 3D NAND 晶圆的产能，并且重新考虑装配其M15和M16晶圆厂的计划，以减少企业资本支出。今年早些时候，SK 曾计划将3D NAND晶圆产量减少10%。不过本周的最新计划，已经调整到减产 15%。

除了减少3D NAND晶圆的开工数量，SK海力士还将放慢韩国清州附近M15工厂的洁净室空间的扩建速度（该工厂可生产DRAM 和3D NAND），并延迟利川附近M16工厂的设备安装。