LM74722-Q1是具有 200 kHz 有源整流和负载突降保护的汽车、低 IQ 理想二极管控制器

产品详情

描述：

LM74722-Q1 理想二极管控制器驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的AM1808BZWTA3理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源允许保护和控制 12V 和 24V 汽车电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。集成理想二极管控制器 (GATE) 驱动第一个 MOSFET 以取代肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。具有快速开启/关闭比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（例如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健高效的 MOSFET 开关性能，其中 ECU 会受到输入短时中断和交流叠加输入信号的影响，频率高达 200 kHz。运行时 35μA（最大值）的低静态电流可实现始终开启的系统设计。通过电源路径中的第二个 MOSFET，该器件允许使用 EN 引脚进行负载断开控制。EN 低时，静态电流降至 3.3μA（最大值）。该器件具有用于负载突降保护的可调过压切断保护功能。

特性：

●AEC-Q100 符合以下结果

—器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围

—设备 HBM ESD 分类级别 2

—设备 CDM ESD 分类级别 C4B

●3V 至 65V 输入范围

●反向输入保护低至 –65 V

●运行中的低静态电流为 35 μA（最大值）

●低 3.3 μA（最大值）关断电流（EN = 低）

●具有 13mV A 至 C 正向压降调节的理想二极管操作

●驱动外部背靠背 N 沟道 MOSFET

●集成 30mA 升压稳压器

●高达 200 KHz 的有源整流

●对反向电流阻断的快速响应：0.5 μs

●快进 GATE 开启延迟：0.8 μs

●可调过压保护

●使用合适的 TVS 二极管满足汽车 ISO7637 瞬态要求

●采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

参数：

Vin (Min) (V)：3

Vin (最大值) (V)：65

特征：使能、线性控制、反向电流阻断、反极性保护

Iq (典型值) (mA)：0.032

Iq（最大值）（mA）：0.038

IGate 脉冲 (典型值) (A)：2.1

工作温度范围 (℃)：-40 到 125

VSense 反向 (典型值) (mV)：-6.5

设计支持：电动汽车

通道控制 (#)：1