中国大陆第三代半导体与国际先进集成电路的差距

芯聚能认为，由于新能源汽车和绿色能源产业的迅猛发展，以及数据中心的迅速发展，功率半导体行业的整体需求将进一步迅速增长，这给整个功率半导体行业带来了发展机遇。芯聚能是一家以IGBT/SiC功率模块和功率器件研发、设计、封装、测试和销售为核心业务的高新技术企业，致力于新能源汽车和一般工业产品的功率芯片设计和功率模块开发制造，为客户提供完整的解决方案。

芯聚能认为，由于新能源汽车BAP64-04和绿色能源产业的迅猛发展，以及数据中心的迅速发展，功率半导体行业的整体需求将进一步迅速增长，这给整个功率半导体行业带来了发展机遇。在中国大陆，功率半导体必将得到更好的发展，占领更大的市场份额。

芯聚能是一家以IGBT/SiC功率模块和功率器件研发、设计、封装、测试和销售为核心业务的高新技术企业，致力于新能源汽车和一般工业产品的功率芯片设计和功率模块开发制造，为客户提供完整的解决方案。

在集成电路晶圆制造产能短缺的情况下，2020年，核心聚能表示，这一状况将在2021年持续下去，这与一些产品的产能紧张以及下游恐慌性囤货有关。另外，由于晶圆厂产能紧张，许多小型设计公司需要预付全数产能预定产能，这也加剧了小型设计公司的资金紧张，再加上晶圆厂产能进一步向大公司倾斜，到2021年，小设计公司的日子肯定会更不好过。

SiC将迎来它的爆发时刻

由于国家对新能源汽车的优惠政策越来越多，市场也会越来越开放，所有这些都有利于整个汽车功率半导体的发展。

自从特斯拉将SiCMOSFET引入主驱并迅速量产之后，国内新能源汽车也开始跟进，并被市场广泛接受。因此，SiC设备的“杀手锏”出现并被证实是新能源汽车。

SiC在过去两年中迅速成为关键的第三代半导体材料，开始时SiC基片供应不足，为了解决这一问题，Cree与几家主要公司签订了长期供应协议，并于2019年5月宣布在未来五年投资10亿美元，扩大基片生产线。另外，英飞凌还收购了Siltectra和Siltectra,Siltectra拥有Norstel55%的股份。

由于基片产能的进一步扩大，缺陷密度进一步降低，生产效率进一步提高，第三代半导体，尤其是SiC，肯定会在2021年表现得非常出色。

由于SiC晶圆厂产量的进一步增加，相信这将吸引国际大公司参与竞争。至于SiC器件，尤其是MOSFET，价格将进一步下降，这也为SiC器件获得更多的市场份额创造了条件。核心聚能总裁周晓阳表示，目前车用SiC器件将进入越来越多的市场，同时随着行业的快速发展，整个市场的布局也将迅速变化。

周晓阳认为，与硅材料相比，SiC可以实现更高的结温、频率和耐压能力，从而为电动汽车提供更有效的电驱控制，延长续航里程，减少电池消耗，同时还可以减少整个电驱系统的体积和重量；可以采用更快、更大容量的车载充电方案；由于碳化硅的优异性能和自身成本的持续下降(材料加工更为成熟)，将带来系统级的成本优势，并加快其在纯电动市场的应用，因此SiC的发展前景非常广阔。

SiC芯片虽然有着广阔的应用前景，但由于其场强、能隙、热导率、熔点、电子迁移率等新特性，对封装提出了新的要求和挑战，其中工艺的实现也面临着从设计到产品量产的严峻挑战。

据悉，芯聚能半导体主要聚焦于车规级及工业级功率器件和模块的封装测试及应用，其工业级产品已在一些行业龙头企业中进入量产阶段，其中包括车规级硅基IGBT和SiC主驱驱动模块的验证工作进展顺利，产品性能及可靠性已达到国际大厂同等水平，且价格较低，预计今年下半年将进入量产阶段。

为缩小与国际先进水平的差距，产业链进行合作

到了2020年，第三代半导体的概念已经很热了，随着各种投资的不断增加，中国大陆的第三代半导体公司(包括基片、外延、芯片制造、封装测试和应用等)已经发展得很快了，它们与国际水平的差距也在不断缩小。

但同时也看到，国内对第三代半导体的投资也出现了一窝蜂的局面，能够实现高效商业化的能力将不多。芯聚能坦言，虽然中国大陆第三代半导体与国际先进集成电路的差距远小于中国大陆硅基集成电路的先进工艺与国际先进水平的差距，但也是全方位的，主要体现在材料、设备、检测能力等方面。

他表示，只有整个产业链加强合作，每一个环节都有几个关键企业进行协作攻关，才有可能尽快缩小与国际先进水平的差距。与此同时，互惠的国际合作也是必不可少的，"核心聚合"。

最后，谈到企业人才，芯聚能表示，作为一家创业公司，它已连续三年招聘超过两位数的应届生，并制定了非常详细的培养计划，目前已有一批独特的新员工。

「以自我培养为基础，从招人、招物、招人做起，为行业培养更多的有生力量」，是核聚能人才培养的根本。