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发布采购

国星光电宣布推出第三代半导体材料新产品

日期:2021-4-22 类别: 阅读:324 (来源:互联网)

与传统硅基半导体材料相比,以碳碳复合材料(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料除了具有很大的间隙外,还具有导热率高、电子设备饱和状态漂移率高、击穿场强、物理和有机化学可靠性高的特点。目前,国星光电在第三代半导体材料行业已经产生了三大产品系列,包括:SiC电力电子设备、GaN-DFN元器件和功率模块。

Central issue是第三代半导体材料。

2020年10月,国兴光电成功举办了第一届国兴光社区论坛。上国兴光电社区论坛宣布,将抓住国内生产制造的机遇,快速拓展第三代半导体材料新跑道。最近,国兴光电宣布推出一系列第三代半导体材料新产品,在新跑道上迈出了坚实的步伐。

1.新跑道开始。

第三代半导体材料是中国2030年和十四五中国产品研发方案的关键发展前景。与传统硅基半导体材料相比,以碳碳复合材料(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料除了具有很大的间隙外,还具有导热率高、电子设备饱和状态漂移率高、击穿场强、物理和有机化学可靠性高的特点。

风乘国家“十四五”对半导体材料AO4712集成电路芯片行业的总体规划,国星光电在“三代半封测”行业全力合理配置,在继承LED测量密封可靠性高的质量体系管理的基础上,致力于创造可靠性高、质量优点高的技术专业三代半输出功率测量密封公司。

2.新方向自主创新产品。

目前,国星光电在第三代半导体材料行业已经产生了三大产品系列,包括:SiC电力电子设备、GaN-DFN元器件和功率模块。国兴光电打造可靠性高、质量高的电力电子设备封装公司,坚定不移性能优异、可靠性高、质量高的商品线路。

●SiC电力电子设备。

国星光电SiC电力电子设备小巧轻巧,反向恢复快,抗浪涌保护器工作能力强,山崩抗压能力强,特性优异,工作效率高。目前,该行业已经生产了两条主要产品线:SiC-MOSFET、SiC-SBD;有四种封装结构(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可广泛应用于大功率电阻、汽车充电桩等工业生产行业。

●GaN-DFN元件。

GaN-DFN元件具有较高的临界值静电场、优良的通断电阻、较低的电容等优点,特别适用于输出功率半导体元件,降低环保节能和系统软件固定成本,此外,输出功率较高,具有较高的功率和系统软件效率,可大大提高充电头、开关电源电路等所用电池的充电效率,广泛应用于新能源汽车电池充电、手机快充等领域。

●功率模块。

国兴光电第三代半导体材料功率模块采用科技创新框架和两面高效排热设计方案,具有优异的电气性能和热特性,具有杂散感应器低、转换效率高、负载损耗小等优点。它功率大,产品体积小,可广泛应用于各种软启动器和逆变电源的工业生产行业,从而实现系统软件开发人员对室内空间的严格管理。控制模块产品可以根据独特的功能要求进行模块化设计和定制开发设计。

3.“星”速度见效果。

为了积累技术实力,满足市场需求,2020年国兴光电运行了建立电力电子设备试验室和电力电子设备生产线的工作。目前,国兴光电第三代半导体材料新产品已经宣布发布,其中TO-220/TO247系列产品的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品已经进入试生产阶段,并在试生阶段完成了AEC-Q101车辆标准化检测认证。TO-247-3L的特性为1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。

另外,企业商品已送至第三方有资质证书的机构,已按照AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等相关车辆等级及工业生产等级进行验证检验。

未来,在中国“十四五”总体规划的杰出宏伟蓝图下,国兴光电将继续增加第三代半导体材料的科研、开发、设计和技术成果转化,为战略安全和国内生产制造第三代半导体材料做出贡献。