LM74700-EP是增强型低 IQ 理想二极管控制器

产品详情

描述：

LM74700-EP 是一种AD7764BRUZ理想二极管控制器，它与外部 N 沟道 MOSFET 一起作为理想二极管整流器工作，用于具有 20mV 正向压降的低损耗反向极性保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围允许控制许多流行的直流总线电压，例如 12V、24V 和 48V 系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。

该器件控制 MOSFET 的栅极以将正向压降调节为 20 mV。该调节方案可在反向电流事件期间实现 MOSFET 的正常关断，并确保零直流反向电流。对反向电流阻塞的快速响应 (< 0.75 μs) 使该器件适用于在电源故障和输入微短路条件下具有输出电压保持要求的系统。

LM74700-EP 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。LM74700-EP 的高额定电压有助于简化汽车 ISO7637 保护的系统设计。使能引脚为低电平时，控制器关闭并消耗大约 1 μA 的电流。LM74700-EP 的额定温度范围为 T A = –55°C 至 +125°C。

特性：

●3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）

●–65V 反向电压额定值

●用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵

●20mV 阳极至阴极正向压降调节

●启用引脚功能

●1μA 关断电流（EN = 低）

●80μA 工作静态电流（EN = 高）

●2.3A 峰值栅极关断电流

●对反向电流阻断的快速响应：< 0.75 μs

●使用合适的 TVS 二极管满足汽车 ISO7637 瞬态要求

●采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90 mm × 1.60 mm

●军用温度范围 –55°C 至 +125°C

●一个制造、组装和测试场地

●延长产品生命周期

●延长产品变更通知

●产品溯源

参数：

Vin (Min) (V)：3.2

Vin (最大值) (V)：65

特征：使能、线性控制、反向电流阻断、反极性保护

Iq (典型值) (mA)：0.08

Iq（最大值）（mA）：0.13

IGate 源 (Typ) (uA)：11000

IGate 接收器 (Typ) (mA)：2370

IGate 脉冲 (典型值) (A)：2.3

工作温度范围 (℃)：-50 到 125

VSense 反向 (典型值) (mV)：-11

设计支持：电动汽车

评分：HiRel 增强型产品

通道控制 (#)：1

场效应管：外部的