JFE150是超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET
日期:2021-9-14产品详情
描述:
JFE150 是 Burr-Brown? 分立式 JFET,采用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工艺制造。JFE150 具有以前较旧的分立 JFET 技术所不具备的性能。JFE150 提供最大可能的噪声功率效率和灵活性,其中静态电流可由用户设置,并为 50 μA 至 20 mA 的电流产生出色的噪声性能。当偏置为 5 mA 时,该器件会产生 0.8 nV/√ Hz的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (> 1 TΩ) 提供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点的ADS5444IPFP集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
JFE150 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。温度范围规定为 –40°C 至 + 125°C。该器件采用 5 引脚 SOT-23 和 SC-70 封装。
特性:
●超低噪音:
●电压噪声:
—1 kHz 时为0.8 nV/√ Hz,I DS = 5 mA
—1 kHz 时为0.9 nV/√ Hz,I DS = 2 mA
●电流噪声:1.8 fA/ √Hz at 1 kHz
●低栅极电流:10 pA(最大值)
●低输入电容:V DS = 5 V 时为24 pF
●高栅漏和栅源击穿电压:–40 V
●高跨导:68 毫秒
●封装:小型 SC70 和 SOT-23(预览)
参数:
1 kHz 时的 Vn (nV/rtHz):0.8
击穿电压 (V):40
VDS (V):40
VGS (V):-40
VGSTH 典型值 (V):-1.2
工作温度范围 (°C):-40 到 125