AT93C46D/AT93C46E:三线串行EEPROM 1-Kbit（128 x 8或64 x 16）

特征

•低压操作：

–VCC=1.8V至5.5V

•用户可选择内部组织为128 x 8（1K）或64 x 16（1K）

•不可选择的内部组织为64 x 16（1K），仅限AT93C46E

•工业温度范围：-40°C至+85°C

•2 MHz时钟频率（5V）

•最长5毫秒内的自定时写入周期

•高可靠性：

–耐久性：1000000个写入周期

数据保留期：100年

•绿色包装选项（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）

•模具销售选项：晶圆形式和带卷

包装

•8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP和8引脚VFBGA

引脚说明

■芯片选择（CS）

芯片选择（CS）引脚用于控制设备选择。当CS引脚为高时，选择AT93C46D/AT93C46E。当未选择设备时，将不会通过串行数据输入（DI）引脚接受数据，串行输出（DO）引脚将保持高阻抗状态。

■串行数据时钟（SK）

串行数据时钟（SK）引脚用于同步主设备和AT93C46D/AT93C46E之间的通信。串行数据输入（DI）引脚上存在的指令、地址或数据锁定在SK的上升沿，而串行数据输出（DO）引脚上的输出也在SK的下降沿被时钟输出。

■串行数据输入（DI）

串行数据输入（DI）引脚用于将数据传输到设备中。它接收指令、地址和数据。数据被锁存在串行数据时钟（SK）的上升沿。

■串行数据输出（DO）

串行数据输出（DO）引脚用于从AT93C46D/AT93C46E传输数据。在读取序列中，数据在串行数据时钟（SK）的上升沿之后从该引脚上移出。如果CS在最低tcs为低电平后变为高电平，并且已启动擦除或写入操作，则此引脚还输出部件的就绪/忙碌状态。

■接地（GND）

电源的接地参考。接地（GND）引脚应连接到系统接地。

■内部组织（ORG）

内部组织（ORG）引脚用于在设备的x16或x8内存组织之间进行选择。当ORG引脚连接到VCC时，选择x16存储组织。当ORG引脚指向VSS时，将选择x8内存组织。

如果ORG引脚未连接，并且应用程序没有加载超出内部1 MΩ上拉电阻器能力的输入，则选择x16组织。Note:  此引脚是AT93C46E上的无连接（NC）引脚。

■设备电源（VCC）

设备电源（VCC）引脚用于向设备提供电源电压。在有效VCC电压下操作可能会产生虚假结果，不应尝试。

描述

AT93C46D提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为64个字，每个字16位（当ORG引脚连接到VCC时）和128个字，个字8位（当OR引脚接地时）。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。AT93C46D提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP和8引脚VFBGA封装。所有封装的工作电压范围为1.8V至5.5V。

AT93C46E提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为64个字，每个字仅16位。AT93C46E不提供ORG引脚，因此用户无法在此设备上选择组织方式。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。AT93C46E还提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP和8引脚PDIP封装。所有封装的工作电压范围为1.8V至5.5V。

AT93C46D/AT93C46E通过芯片选择（CS）引脚启用，并通过由数据输入（DI）、数据输出（DO）和串行数据时钟（SK）组成的三线串行接口访问。在DI接收到READ指令后，地址被解码，数据在DOpin上串行输出。写入周期是完全自定时的，在写入之前不需要单独的擦除周期。仅当零件处于擦除/写入启用状态时，才启用写入循环。当CS在写入周期开始后变高时，DO引脚输出部件的Ready/Busy状态。

框图

Note:  AT93C46E的组织结构不可通过ORG引脚选择，默认为64x16。如果选择x16组织模式，并且引脚6（ORG）未连接，Microchip建议使用AT93C46E设备。

设备命令和寻址

AT93C46D/AT93C46E可通过简单通用的三线串行通信接口访问。设备操作由主机处理器发出的七条指令控制。有效指令从CS的上升沿开始，由起始位（SB）、适当的操作码和所需的内存地址位置组成。

阅读

READ指令包含要读取的存储器位置的地址码。在指令和地址被解码后，DO引脚上可以获得所选存储位置的数据。输出数据变化与SK引脚的上升沿同步。

Note:  虚拟位（逻辑“0”）位于8位或16位数据输出串之前。

图1:读取时间

擦除/写入启用（EWEN）

为确保数据完整性，首次通电时，该部件会自动进入擦除/写入禁用（EWDS）状态。在执行任何编程指令之前，必须首先执行擦除/写入启用（EWEN）指令。

Note:  一旦处于写启用状态，编程将保持启用状态，直到执行EWDS指令或从部件中移除VCC电源。

图2:EWEN计时

擦除/写入禁用（EWDS）

为防止意外数据干扰，擦除/写入禁用（EWDS）指令禁用所有编程模式，应在所有编程操作后执行。READ指令的操作独立于EWEN和EWDS指令，可以随时执行。

图3:EWDS定时

擦除

ERASE指令将指定内存位置中的所有位编程为逻辑“1”状态。一旦erase指令和地址被解码，自定时擦除循环就开始了。如果CS在保持低电平至少tCS后变高，DO引脚将输出零件的Ready/Busy状态。DO引脚上的逻辑“1”表示所选存储位置已被擦除，该部分已准备好执行另一条指令。

图4:擦除时间

写入

WRITE指令包含要写入指定内存位置的8位或16位数据。自定时编程周期tWP在DI引脚接收到最后一位数据后开始。如果CS在保持低电平至少tCS后变为高电平，DO引脚将输出零件的Ready/Busy状态。DO处的逻辑“0”表示编程仍在进行中。逻辑“1”表示指定地址的内存位置已使用指令中包含的数据模式写入，并且该部分已准备好执行进一步的指令。如果CS在自定时编程周期tWP结束后变高，则无法获得就绪/忙碌状态。

图5:写入定时

全部写入（WRAL）

全写（WRAL）指令使用指令中指定的数据模式对所有内存位置进行编程。如果CS在保持低电平至少tCS后变高，DO引脚将输出零件的就绪/忙碌状态。

Note:  WRAL指令仅在VCC3有效。

图6:错误计时

全部擦除（ERAL）

Erase All（ERAL）指令将存储器阵列中的每个位编程为逻辑“1”状态，主要用于测试目的。如果CS在保持低电平至少tCS后变为高电平，DO引脚将输出零件的Ready/Busy状态。

Note:  ERAL指令仅在VCC3有效。

图7:ERAL定时

设计注意事项

在应用 AT93C46D/AT93C46E 时，设计工程师应注意以下事项，以确保最佳性能：

- 电源管理：虽然产品支持多种电压，但为确保可靠性，必须使用符合规格的电源，并设置适当的解耦电容。

- 信号完整性：在 PCB 设计中应尽量缩短信号线长度，避免不必要的交叉和干扰，以保持信号的完整性，确保稳定的数据传输。

- 温度控制：在极端温度条件下使用时，应注意 EEPROM 的性能参数，确保操作在规定的工作温度范围内。

与竞争产品的比较

与市场上其他同类 EEPROM 产品相比，AT93C46D/AT93C46E 以多样的存储配置、优越的数据保护特性和高效的接口设计脱颖而出。这使得它在各类应用中更具竞争力。经过多年的市场反馈与技术研发，AT93C46D 和 AT93C46E 不仅提供了优秀的性价比，还确保了用户的长期满意度。

采购与支持

AT93C46D 和 AT93C46E 产品可从多个电子元器件分销商处采购，通常需要量产的客户可联系生产厂家进行批量购买。在设计过程中，如遇到技术挑战，技术支持团队可以提供详细的应用指导与文档，以帮助客户快速解决问题，实现最佳设计方案。