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新闻资讯 > 半导体材料

  • 可穿戴PPG传感器中先进材料的制备、性能及应用综述

    可穿戴PPG传感器是一种通过光学原理来监测人体生理参数的传感器技术。PPG代表光学心率感应,是一种基于光电检测技术的非侵入式生理信号检测技术。PPG传感器通常由LED光源和CD14538BF3A光敏元件组成,LED发出光线照射到皮肤表面后,一部分被吸收,另一部分经过皮肤反射回传感器,血流速度的变化会影响反射光的强度,从而实现心率监测、血氧饱和度监测等功能。这种传感器因其小巧、便携、低功耗等特点,广泛应用于智能手环、智能手表、运动手环等可...

    日期:2024-3-27阅读:666
  • 意法半导体突破20纳米技术节点,打造极具竞争力的新一代MCU

    意法半导体(STMicroelectronics)是全球领先的半导体解决方案提供商之一,专注于为各种电子应用提供广泛的微控制器(MCU)、模拟器件、功率器件和传感器产品。随着电子行业对更高性能、更高能效的不断追求,各大芯片制造商都在致力于缩小技术节点,提升产品性能和集成度。意法半导体近期宣布突破了20纳米(nm)技术节点,这一进展将使其MCU产品线更具竞争力。在半导体产业,技术节点的尺寸是衡量晶体管技术先进程度的关键指标之一。节点越小,...

    日期:2024-3-26阅读:665
  • 意法半导体宣布联手三星推出18nm FD-SOI工艺,支持嵌入式相变存储器(ePCM)

    意法半导体(STMicroelectronics)与三星电子联合宣布,推出一种前沿的18纳米(nm)全耗尽硅上绝缘体(FD-SOI)工艺技术。这一技术的亮点在于支持FF900R12IE4嵌入式相变存储器(ePCM),标志着半导体制造与数据存储领域的一次重大突破。此次合作不仅展现了两大科技巨头的技术实力,也预示着未来电子设备将迎来性能与效能的双重飞跃。技术解读与优势18nm FD-SOI工艺全耗尽硅上绝缘体(FD-SOI)工艺,相较于传统...

    日期:2024-3-25阅读:663
  • 碳化硅功率器件:革新未来能源与电力电子技术的关键材料

    碳化硅功率器件是一种重要的半导体器件,具有许多优异特性,对于革新未来能源与电力电子技术发挥着至关重要的作用。以下是关于碳化硅功率器件的详细介绍:1. 碳化硅功率器件简介: - 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有DS1685E-5高热稳定性、高电子漂移率和高击穿场强等特点,适合用于高温、高频和高压环境。2. 碳化硅功率器件类型: - 主要的SiC功率器件包括SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、SiC击穿二...

    日期:2024-3-21阅读:661
  • 什么是半导体,分立半导体器件基础知识

    半导体是一类具有电导率介于导体与绝缘体之间的材料,其电导率可以通过掺杂(加入杂质)或外加电场、磁场、光照等方式进行调节。在现代电子科技和信息技术中,半导体器件扮演着极其重要的角色,它们是构成集成电路、计算机、通讯设备等电子产品的基本元件。基本概念1. 能带理论在量子物理中,能带理论是解释半导体、绝缘体和金属电子性质的基础。在这一理论中,电子在晶体中的能量状态是连续的能带,而非单个的能级。对于半导体来说,最重要的是导带和价带之间的能隙(B...

    日期:2024-3-19阅读:685
  • 光电集成芯片材料是什么

    光电集成芯片(Photonic Integrated Circuits, PICs)是一种集成技术,它允许光信号在FDD8647L芯片上的传输和处理。与传统的电子芯片相比,光电集成芯片在数据传输速度、带宽、能耗和抗干扰性方面具有显著优势。它们广泛应用于通信、数据中心、生物医学成像、传感器和量子计算等领域。光电集成芯片的材料选择对其性能有着决定性的影响,以下是几种主要的光电集成芯片材料及其特点:1. 硅基材料(Silicon-based ...

    日期:2024-3-18阅读:705
  • 半导体硅材料的特性解析

    半导体硅材料是一种应用广泛的材料,常用于制造集成电路、太阳能电池等电子器件。以下是对半导体硅材料特性的详细解析:1. 结构特性:硅是周期表中的第14号元素,具有原子序数为14,化学式Si。硅的DAC8531IDRBT晶体结构是面心立方结构,每个硅原子通过共价键连接在一起,形成稳定的晶格结构。2. 带隙能量:硅作为一种半导体材料,具有较大的带隙能量,约为1.1eV,在外加能量的激发下,可以使硅材料从绝缘体变为导体。3. 导电性质:在纯净的...

    日期:2024-3-15阅读:685
  • 半导体器件中很重要一种的概念—栅

    在电子工程与半导体物理领域,栅(Gate)是一个至关重要的概念,它是半导体器件中的一个基本组成部分,尤其是在场效应晶体管(Field-Effect Transistors, FETs)中。栅的主要功能是控制半导体器件中电荷载流子的流动,从而调节器件的导电性。这一特性使得半导体器件能够在电子设备中扮演开关或FA5518N-A2-TE1放大器的角色,是现代电子技术的基石之一。栅的基本工作原理在场效应晶体管中,栅的作用可以通过电场效应来理解。...

    日期:2024-3-13阅读:768
  • 基于碳化硅(SiC)材料打造的主驱逆变器即将大规模“上车”

    随着新能源汽车行业的快速发展,对电动汽车(EV)动力系统的效率和性能提出了更高的要求。在这一背景下,基于碳化硅(SiC)材料打造的主驱逆变器逐渐成为业界关注的焦点,并即将在新能源汽车中大规模应用。本文将深入探讨碳化硅材料的优势、主驱逆变器的重要性以及碳化硅逆变器的市场前景和挑战。一、碳化硅材料的优势碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料,相比传统的硅(Si)材料,SiC具有多项显著优势。首先,SiC具有更高的电子饱和迁移率,这使得SiC...

    日期:2024-3-13阅读:698
  • 半导体芯片封装推拉力测试机合理选择需要考虑哪些方面

    半导体芯片是一种集成电路芯片,由半导体材料制成,用于存储、处理和传输电子信息。半导体芯片封装推拉力测试机是用来测试半导体芯片在封装过程中的抗拉和抗压性能的设备。在选择该设备时,需要考虑以下几个方面:1. 测试范围:测试机应当能够覆盖不同尺寸和类型的CD74HCT174E半导体芯片,以满足不同生产需求。2. 测试精度:测试机的测量精度和重复性应当达到行业标准,确保测试结果的准确性。3. 测试速度:快速的测试速度可以提高生产效率,降低成本,...

    日期:2024-3-13阅读:693
  • 告别硅时代?石墨烯芯片如何重塑半导体?

    石墨烯作为半导体领域的一种新型材料,具有许多优异的特性,如高电导率、高热导率、透明性和柔韧性等。相较传统的DMP2240UW-7硅芯片,石墨烯芯片可以在多个方面进行重塑,可能标志着硅时代的逐渐告别。石墨烯具有以下几个优势和特点:1. 高导电性和高迁移率:石墨烯的电子传输速度远高于硅材料,有望实现更快的芯片运算速度和更低的功耗。2. 透明性:石墨烯对光非常透明,有望应用于柔性电子设备等领域。3. 机械强度:石墨烯极高的机械强度使得其更加耐...

    日期:2024-3-12阅读:766
  • 意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器

    意法半导体(STMicroelectronics)是一家知名的跨国半导体公司,致力于为全球客户提供创新的半导体解决方案。同步整流控制器(Synchronous Rectification Controller)是一种常用于开关电源中的元件,用于控制电源转换过程中的整流操作,提高能量效率和降低功耗。意法半导体推出的灵活多变的同步整流控制器可能具有以下特点和优势:1. 高效能效:同步整流控制器可以在开关电源中替代传统的CGS74LCT252...

    日期:2024-3-12阅读:717
  • 半导体放电管TSS:原理及在电子领域的应用

    半导体放电管(Transient Suppression diode,TSS)是一种用于电子电路中的保护元件,主要用于抑制瞬态电压和电流的过大波动,保护其他电子器件不受损坏。下面将对半导体放电管的原理及在电子领域的应用进行详细介绍。一、半导体放电管的原理半导体放电管的工作原理基于PN结的整流和击穿效应。它由具有特殊结构的PN结组成,通常是由PN结和Zener二极管连接而成。在正常工作状态下,DS1631Z半导体放电管处于高阻抗状态,不导...

    日期:2024-3-6阅读:752
  • 意法半导体宣布推出一款全能型、直接式飞行时间3D激光雷达模组

    意法半导体(STMicroelectronics)近期宣布推出一款全能型、直接式飞行时间(TOF)3D激光雷达模组,该模组结合了高性能、低功耗和小型尺寸的特点,适用于各种应用领域。以下是关于这款产品的详细介绍:1. 技术特点:- 全能型设计:该模组采用了意法半导体领先的dg202cj混合光学技术,可以在不同场景下实现高精度的深度感知和运动追踪。- 直接式飞行时间原理:通过测量从激光光源发射到物体表面并返回传感器的时间来计算距离,实现高精...

    日期:2024-3-6阅读:693
  • 半导体巨头争夺先进封装技术,Hana Micron、台积电等争锋相对

    在科技快速发展的今天,半导体行业已成为全球科技创新的引擎。在这个日新月异的领域,半导体巨头们正在争夺一个新的竞技场——先进封装技术。目前,Hana Micron、台积电等主要半导体制造商已经开始在这一领域展开竞争。封装技术是半导体制造过程的重要环节。简单来说,封装就是将裸露的芯片放入一个保护壳中,以防止环境因素对其造成损害。而先进封装技术,则是这一过程中的最新突破。它能够提高集成电路的性能,缩小尺寸,降低功耗,从而使得芯片能够满足更高的...

    日期:2024-3-5阅读:706
  • 意法半导体宣布推出一款3D激光雷达传感器新品VL53L9

    意法半导体最近宣布推出一款名为VL53L9的全新3D激光雷达传感器。该传感器采用了先进的技术和创新的设计,具备高精度、高速度和长距离测距等特点。本文将介绍VL53L9传感器的关键特性、技术原理以及应用前景。1. 引言激光雷达传感器在自动驾驶、机器人导航、CM1213A-01SO安防监控等领域扮演着重要角色。意法半导体作为领先的半导体解决方案提供商,不断推出创新的产品,满足市场需求。VL53L9是其最新推出的一款3D激光雷达传感器,具备出...

    日期:2024-2-29阅读:691
  • 5G与第三代半导体基底功率放大器

    5G网络作为下一代移动通信技术的代表,其核心优势在于高速率、低时延和大连接数。为了实现这些性能目标,5G网络在物理层面对基础设施的要求极高,尤其是对功率放大器的要求。功率放大器是无线通信系统中的关键部件,用于增强信号的功率,使其能够跨越更长的距离或传输到接收设备。随着5G技术的推进,传统的硅基功率放大器已经难以满足性能需求,因此第三代半导体材料,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),开始被广泛研究和应用于5G功率放大器中。一、5G技术对...

    日期:2024-2-29阅读:696
  • 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)作为下一代半导体的角逐者

    在电力电子和能源转换技术领域,硅(Si)长期以来一直是主要的半导体材料。然而,随着技术的进步和对更高效率、更高频率以及在更极端条件下工作的电子设备的需求增加,硅的物理限制开始显现,这促使了对新型半导体材料的探索。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)因其卓越的物理特性,在下一代EPM7096LC68-10半导体材料的竞争中脱颖而出,被认为是最有潜力的候选者。一、氮化镓(GaN)的特性及应用氮化镓(GaN)是一种直接带隙半导体,具有极高的电子...

    日期:2024-2-28阅读:710
  • 半导体器件为什么需要“外延层”

    半导体器件中的外延层在其结构和性能方面发挥着至关重要的作用。外延层是通过一种叫做外延生长(Epitaxial Growth)的过程形成的,这是一种在半导体衬底上生长出高质量晶体层的方法。这一过程对于制造高效,高性能的AD7891ASZ-1半导体器件至关重要。首先,我们要理解,半导体器件的性能在很大程度上取决于其材料的质量。如果材料中存在缺陷,如位错、空位、杂质等,那么电子在材料中的运动将会受到阻碍,从而影响器件的性能。外延生长技术可以在...

    日期:2024-2-23阅读:715
  • 半导体后端工艺:封装设计与分析

    半导体后端工艺,即封装设计与分析,是半导体制造的一个关键阶段,它直接影响到半导体设备的性能和可靠性。半导体后端工艺包括多个步骤,如芯片的切割、焊接、固定、封装以及测试等。每个步骤都需要精确的控制和复杂的技术,以确保产品的质量和性能。封装设计是半导体后端工艺的重要组成部分。它的目的是保护FAN1086SX芯片,防止其受到环境影响,如湿度、温度、灰尘等,并确保芯片能够在各种环境条件下稳定工作。封装设计需要考虑多个因素,如封装材料的选择、封装...

    日期:2024-2-22阅读:787