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Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口储存器
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存储器FM14C88，适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (HBA card) 等应用。 与nvSRAM相比，FM14C88的读写速度更快, 工作电压更低。FM14C88 的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC...
日期：2009-9-2阅读：838 -
Ramtron 推出V系列并口 256Kb F-RAM器件
日前，Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、仪器|仪表、医疗、...
日期：2009-8-21阅读：341 -
V系列并口256Kb F-RAM器件（Ramtron）
Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、仪表、医疗...
日期：2009-8-18阅读：391 -
Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件FM28V020
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay) 写入、无乎无限的读...
日期：2009-8-18阅读：391 -
Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件
日前，Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、仪器|仪表、医疗、...
日期：2009-8-18阅读：316 -
8-Mb并口非易失性F-RAM存储器（Ramtron）
Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于SRAM的系统设计。...
日期：2009-7-22阅读：147 -
Ramtron宣布推出8-Mb并口非易失性F-RAM存储器FM23MLD16
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成式半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网...
日期：2009-7-22阅读：165 -
Ramtron推出8-Mb并口非易失性F-RAM存储器
日前，Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于SRAM的系统...
日期：2009-7-22阅读：156 -
光电耦合器在并口长线传输中的应用
光电耦合器(以下简称光耦)是一种由发光器件和光敏器件组成的光电器件。它能实现电→光→电信号的转换，并且输入信号与输出信号隔离。目前绝大多数的光耦输入采用砷化镓红外发光二极管，输出采用硅光电二极管、硅光电三极管及光触发可控硅。因为峰值波长900～940nm的砷化镓红外发光二极管能与硅光电器件的响应峰值波长相吻合，可获得较高的信号传输效率。 电气隔离翻。同时，在电→光→电信号的转换中，就光电耦合器件而言，只要其输入端有一定的电流，其输出端就...
日期：2009-6-25阅读：1016 -
4Mb并口非易失性F-RAM存储器（Ramtron）
Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封装的4兆位 (Mb) F-RAM存储器。FM22LD16 是采用48脚FBGA 封装的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读/写次数以及低功耗等优点。FM22LD16 与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的...
日期：2009-2-12阅读：1037 -
RAMTRON宣布为4兆位并口非易失性F-RAM存储器提供FBGA封装选择
非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封装的4兆位 (Mb) F-RAM存储器。FM22LD16 是采用48脚FBGA 封装的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读/写次数以及低功耗等优点。FM22LD16 与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、...
日期：2009-2-11阅读：1000 -
ST推出具有上电保护功能的并口收发器
意法半导体(ST)开发出的低压高速收发器74LVC161284 TTR、74LVCZ161284ATTR，目标应用包括打印机、扫描仪和复印机。两款器件都支持个人计算机与外设之间的IEEE1284-I和-II双向并行通信标准。转换功能允许电缆端输出连接一个5V信号，且每个漏极开路输出上都集成一个上拉电阻器，从而免去了对执行同一功能的分立电阻器的需求。www.st.com
日期：2007-8-9阅读：244