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| 型号: | NGB18N40ACLBT4G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 针数： | 3 |
| 制造商包装代码： | 418B-04 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 18 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 430 V |
| 最大降落时间（tf）： | 15000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 1.9 V |
| 门极-发射极最大电压： | 18 V |
| JESD-609代码： | e3 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W |
| 最大上升时间（tr）： | 7000 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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