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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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配单直通车
NGB18N40CLBT4产品参数
型号:NGB18N40CLBT4
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM
包装说明:CASE 418B-04, D2PAK-3
针数:4
制造商包装代码:CASE 418B-04
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.67
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):18 A
集电极-发射极最大电压:430 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间(tf):15000 ns
门极发射器阈值电压最大值:1.9 V
门极-发射极最大电压:18 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):115 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):7000 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):13000 ns
标称接通时间 (ton):5200 ns
Base Number Matches:1
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