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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 厂家Littelfuse Inc. 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家ON 
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • NGB8206NTF4G图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装TO-263-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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NGB8206NTF4G产品参数
型号:NGB8206NTF4G
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SFM
包装说明:LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
针数:4
制造商包装代码:CASE 418B-04
Reach Compliance Code:not_compliant
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.1
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:390 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):18500 ns
标称接通时间 (ton):6500 ns
Base Number Matches:1
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