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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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NGD8205ANT4G产品参数
型号:NGD8205ANT4G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
针数:3
制造商包装代码:369C
Reach Compliance Code:not_compliant
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.66
最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:390 V
最大降落时间(tf):14000 ns
门极发射器阈值电压最大值:2.1 V
门极-发射极最大电压:15 V
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最高工作温度:175 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W
最大上升时间(tr):8000 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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