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NGTB15N60S1EG产品参数
型号:NGTB15N60S1EG
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
制造商包装代码:221A-09
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:2.05
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:650 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):117 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):440 ns
标称接通时间 (ton):93 ns
Base Number Matches:1
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