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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装车规-晶体管 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 封装SOT-223(TO-261)4LEAD 
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 封装SOT-223 (TO-261) 4 LEAD 
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NIF9N05CLT3G产品参数
型号:NIF9N05CLT3G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Contact Manufacturer
零件包装代码:TO-261AA
包装说明:LEAD FREE, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数:4
制造商包装代码:0.0318
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.3
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):110 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:52 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.6 A
最大漏极电流 (ID):2.6 A
最大漏源导通电阻:0.125 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-261AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:3
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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